Samsung sẽ sản xuất các chip bán dẫn 2 nanomet ở Texas, hoa kỳ, theo báo cáo mới nhất, samsung chip có kế hoạch sản xuất các chip bán dẫn hạng nhất tại nhà máy Taylor vào năm 2026. Công ty dự định sản xuất các chip 2 nano mét và 3 nano mét tại nhà máy. Công ty dự kiến sẽ nhập khẩu tất cả các thiết bị cần thiết vào đầu năm 2026 và bắt đầu sản xuất vào cuối năm. Samsung đã đầu tư hàng tỷ đô la vào hai nhà máy này và đã giành được 4.74 tỉ đô la từ chính phủ mỹ trong quá khứ. Ngược lại, SanXing đối thủ cạnh tranh chính của máy đi các layer điện (TSMC) đã ở Arizona, nằm dưới nhà máy bắt đầu sản xuất chip 4 nano mét. TSMC sẽ có khả năng sản xuất các chip 2 nanomet và 3 nanomet vào cuối năm nay. Nhà máy sản xuất Kim loại samsung dự định sử dụng công nghệ xung quanh lưới (Gate All Around, GAA) cho các chip 2 nano và 3 nano, trong khi TSMC dự định sử dụng công nghệ cắt tia cực tím (EUV) trong quá trình 3 nano, và đưa công nghệ GAA vào quá trình 2 nano. Mặc dù sau đó là TSMC, samsung có kế hoạch làm nên sự khác biệt đồng thời qua dịch vụ "turnkey" được tối ưu hóa cho các chip al. Theo truyền thuyết, công ty sẽ cung cấp thêm tất cả các dịch vụ dưới một mái nhà, và chu kỳ từ nghiên cứu và phát triển đến sản xuất có thể tăng thêm 20%, điều này sẽ cung cấp các giải pháp hiệu quả hơn cho doanh nghiệp không có nhà máy sản xuất.